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标签 > SiC MOSFET
文章:113个 浏览:6745次 帖子:1个
浮思特 | 至信微 SiC MOSFET 赋能三相组串式逆变器:高效升级与选型实践
三相组串式逆变器是工商业分布式光伏与地面电站的核心设备,凭借模块化设计、灵活部署的优势,占据了75%以上的市场份额。其功率覆盖范围广泛,单模块通常为30...
2025-11-25 标签:逆变器设备SiC MOSFET 966 0
浮思特 | SiC MOSFET 赋能电动主驱逆变器:效率与动力的双重突破
在电动汽车的核心动力链中,主驱逆变器被誉为“动力心脏”。它承担着将电池直流电转换为电机交流电的关键职责,其性能直接决定了车辆的动力响应、续航能力和空间利...
2025-11-17 标签:MOSFET逆变器SiC MOSFET 890 0
浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑电动车热泵空调,替代IGBT的核心优势
在新能源汽车行业,冬季续航缩水、低温制热效率低一直是用户关注的核心痛点。而热泵空调作为解决这一问题的关键配置,其性能表现直接取决于核心部件——压缩机控制...
2025-11-07 标签:电动车IGBTSiC MOSFET 1.3k 0
浮思特|SiC MOSFET与普通MOSFET的区别及应用分析
在现代功率电子技术中,MOSFET(场效应晶体管)是不可或缺的关键组件。它广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车等领域。而随着功率需求和系统效率的不断提高...
2025-09-04 标签:MOSFETSiCSiC MOSFET 525 0
浮思特 | 为什么新能源离不开碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模块
大家可能经常听到这样一句话:“碳化硅(SiC)正在改变电力电子行业。”那么,为什么一块小小的半导体器件,能让电动车跑得更远,光伏逆变器更高效,甚至让充电...
2025-08-29 标签:SiC碳化硅SiC MOSFET 443 0
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封装的优势和应用领域
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封装 的优势和应用领域的深度分析: 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封...
2025-08-10 标签:封装SiC MOSFETAB3M040065C 1.1k 0
由于第四桥臂的引入,对比三相三桥臂变换器,负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三个(±Udc,0),因此自然的,相同电路...
2025-07-14 标签:电流变换器SiC MOSFET 802 0
驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用
随着功率半导体IGBT,SiCMOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200...
使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷,或氮化镓HEMT的...
2025-03-21 标签:电源开关LLC变换器SiC MOSFET 783 0
SiC MOSFET并联均流及串扰抑制驱动电路的研究立即下载
类别:模拟数字论文 2025-08-18 标签:驱动电路SiC MOSFET 497 0
1200 V,80 mΩ,N沟道SiC MOSFET初步数据表立即下载
类别:电子资料 2024-01-03 标签:NexperiaSiC MOSFET 400 0
NSF040L3A0:1200伏,40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南立即下载
类别:电子资料 2023-12-19 标签:SiC MOSFET 348 0
NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N沟道SiC MOSFET一般说明立即下载
类别:电子资料 2023-12-19 标签:SiC MOSFET 312 0
类别:模拟数字论文 2023-11-30 标签:直流变换器驱动电路SiC MOSFET 530 0
类别:电源技术 2018-03-13 标签:SiC MOSFET 1.7k 0
SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型立即下载
类别:电工论文网 2018-02-01 标签:SiC MOSFET 1.1k 0
倾佳电子户储与工商业混合逆变器功率器件从IGBT向SiC MOSFET全面转型的驱动因素深度研究报告
倾佳电子户储与工商业混合逆变器功率器件从IGBT向SiC MOSFET全面转型的驱动因素深度研究报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功...
2025-11-28 标签:IGBT功率器件SiC MOSFET 1.2k 0
倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告
倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。...
2025-11-23 标签:SiC碳化硅SiC MOSFET 1.5k 0
铜价高企时代的电力电子重构:基本半导体SiC MOSFET功率模块提频应用与整机成本优化深度研究报告
铜价高企时代的电力电子重构:基本半导体SiC MOSFET功率模块提频应用与整机成本优化深度研究报告, 唯有提频,方能破局;唯有SiC,方能提频 对于光...
2025-11-22 标签:电力电子SiC MOSFET 399 0
碳化硅SiC MOSFET并联的技术瓶颈与系统性克服策略:基于基本半导体产品力的深度解析 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新...
2025-11-17 标签:功率半导体SiC MOSFET 621 0
为什么“负压够深”是解决SiC MOSFET串扰问题的最有力措施
为什么“负压够深”是解决SiC MOSFET串扰问题的最有力措施:结合基本半导体(BASIC Semiconductor)器件的深度分析 倾佳电子(Ch...
2025-11-17 标签:串扰SiC MOSFET 645 0
倾佳电子深度解析SiC MOSFET负压关断的串扰抑制机理与-5V工作电压的技术意义——暨主流厂商关断策略横向对比
倾佳电子深度解析SiC MOSFET负压关断的串扰抑制机理与-5V工作电压的技术意义——暨主流厂商关断策略横向对比 倾佳电子(Changer Tech)...
2025-11-11 标签:功率半导体SiC MOSFET基本半导体 110 0
倾佳电子基于SiC MOSFET 的 3kW 高频 (100kHz) CCM 图腾柱 PFC 设计、分析与效率建模
倾佳电子基于SiC MOSFET 的 3kW 高频 (100kHz) CCM 图腾柱 PFC 设计、分析与效率建模 倾佳电子(Changer Tech)...
2025-11-09 标签:PFCCCMSiC MOSFET 1.5k 0
倾佳电子针对高性能户用储能系统的B3M025065L SiC MOSFET深度应用价值分析报告
倾佳电子针对高性能户用储能系统的B3M025065L SiC MOSFET深度应用价值分析报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导...
2025-11-03 标签:储能SiC MOSFET 96 0
倾佳电子基于并联1400V SiC MOSFET的高功率交错并联三相四线制工商业储能PCS设计与分析
倾佳电子基于并联1400V SiC MOSFET的高功率交错并联三相四线制工商业储能变流器PCS设计与分析 倾佳电子(Changer Tech)是一家专...
2025-11-03 标签:PCSSiC MOSFET 212 0
倾佳电子全面分析在高功率工业变频器中以SiC MOSFET模块取代Si IGBT模块的价值主张
倾佳电子全面分析在高功率工业变频器中以SiC MOSFET模块取代Si IGBT模块的价值主张 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导...
2025-11-02 标签:变频器IGBTSiC MOSFET 1.3k 0
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